特性之铟锡氧化物（ITO），与电力之正极相连，再加上另一个金属阴极组成，来构建成电洞传输层（HTL）、发光层（EL）与
当给到必定电压的时分，阳极与阴极的电子就会在发光层中相遇、结合，产生光子。发光层中带有特别的有机资料（OLED中的O），来与光子一同变成红绿蓝三原色。
用一个通俗易懂的比方来说，OLED的原理就好像给有机资料做“电刑”，阴极阳极一通电，有机资料就被“电得发光”。因为每个像素中的红绿蓝三原色点都可以被独自的电压所操控来发光，不需求大面积的背光作为屏幕的“亮源”，故这种技能也被称为自发光技能。
4.OLED发光原理：外界电场驱动-->
载流子的注入（电子和空穴分别由阴极和阳极注入到有机电子传输层和空穴层）-->
载流子传输（在各自的传输层传输，向发光层接近）-->
产生激子（在有机发光层，电子和空穴复合生成激子）-->
辐射发光（激子辐射跃迁回到基态并发光，光从通明阳极和衬底宣布）
5.OLED像素电路作业原理：比较LCD，OLED除了开关管T1之外，还多了操控管T2
寻址信号Gate，加载到SW_TFT(T1)的栅极，操控它的导通/开关管T1；
数据信号Source，经过T1，加载到DRV_TFT(T2)的栅极，操控流过OLED的电流，完成不同灰阶度/操控管T2；
6.驱动框图：比较LCD，OLED多了由电源直接供应TFT2的正负电压，即ELVDD，ELVSS；
半导体器材很多是结构决议特性，MicroOLED是一种在单晶硅片上制备自动发光型OLED器材的新式显现技能，又称硅基OLED。
咱们来看一下Micro-OLED的结构，一般会用顶发射方法，由白光发光层加有机滤色片完成全彩显现，并将各像素的阴极一起衔接，光线经过顶部通明阴极电极层宣布：
因为Micro-OLED像素都只要亮或暗两种状况，背板可参阅存储器（如SRAM）来规划像素驱动电路，这样做才能够使用老练CMOS工艺，将队伍驱动电路、像素阵列和DC-DC转换器等电路集成在单个芯片上，像素尺度可达微米等级：
Micro-OLED微显现器材选用单晶硅晶圆（Wafer）为背板，具有自发光、厚度薄、质量轻、视角大、呼应时刻短、发光功率高级特性，而且更简单完成高PPI（像素密度）、体积小、易于带着、功耗低一级优异特性，很合适使用于近眼显现设备。随商场使用的继续扩展，对Micro-OLED微显现产品的重视程度日渐提高。
自发光，颜色作用更丰厚、可完成高分辨率、选用全固态器材，作业时分的温度规模宽、抗震性好
Micro-OLED产品特性：色域高、对比度高达10,000:1、电池重量轻、耗电低，比LCD功能耗小20%、呼应速度快，像素更新所需时刻小于1μs。
Micro LED屏幕技能选用无机氮化镓资料作为发光资料，为完成像素等级控光作用，Micro LED选用的是比头发丝还要窄的1-10微米LED晶体，其具有RGB三色自发光的特性，因而并不是特别需求背光模组也不需求颜色过滤层，具有与OLED附近的高度颜色饱和度，且耗电量也仅为传统面板的十分之一，其无机资料特性也避免了烧屏问题的产生。
而且Micro LED屏幕和OLED屏幕技能相同具有可曲折、体积轻浮等特性。不过Micro LED屏幕在具有如此多优势的一起，其也具有出产和研制初期技能难度高的问题，想要出产微米级的LED晶体并将其精准贴合在基材上天然需求极为精准的出产的根本工艺，而且意味着出产初期较低的良品率。一起Micro LED屏幕超高的LED晶体密度也会带来较高的本钱，特别是高端显现器所需求的精准光线操控关于LED晶体自身的质量也提出了极高的要求。
